快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	莊紹勳	en_US
dc.contributor.author	Chung Steve S	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:03Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:03Z	-
dc.date.issued	1996	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC85-2215-E009-053	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96020	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=218534&docId=38692	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	快閃式記憶元件熱電子效應的可靠性分析	zh_TW
dc.title	Analysis of Hot Electron Induced Reliability of Flash Memories	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫