新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:13Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:13Z	-
dc.date.issued	1996	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC85-2215-E009-049	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96206	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=218545&docId=38695	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I)	zh_TW
dc.title	New High-Density and High-Speed SRAM Cells and Memory System---Design and Fabrication (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫