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dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:13Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:13Z-
dc.date.issued1996en_US
dc.identifier.govdocNSC85-2215-E009-041zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96211-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=218541&docId=38694en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title深次微米MOS及Bipolar元件的模擬、分析及技術發展(II)zh_TW
dc.titleSimulation, Cahracterization, and Technology for Deep Submicrometer MOS and Bipolar Devices(II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程學系zh_TW
顯示於類別:研究計畫