深次微米MOS及Bipolar元件的模擬、分析及技術發展

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:23Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:23Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2215-E009-019	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96424	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=175852&docId=30081	en_US
dc.description.abstract	本研究針對未來極大型(ULSI)積體電路之重要元件所面臨的設計問題進行前瞻性的研究, 其中包括元件縮小的準則、可靠性問題、元件模擬及模式的建立、元件結構的最佳化、測試鍵的計測及參數粹取的方法等.探討的元件包括本體式金氧半場效電晶體、雙載子電晶體、快閃記憶元件及薄膜場效電晶體等.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	金氧半導體場效電晶體	zh_TW
dc.subject	雙極性電晶體	zh_TW
dc.subject	薄膜電晶體	zh_TW
dc.subject	超大型積體電路	zh_TW
dc.subject	模擬	zh_TW
dc.subject	MOSFET	en_US
dc.subject	Bipolar transistor	en_US
dc.subject	Thin film transistor	en_US
dc.subject	VLSI	en_US
dc.subject	Modeling	en_US
dc.title	深次微米MOS及Bipolar元件的模擬、分析及技術發展	zh_TW
dc.title	Simulation, Characterization and Technology for Deep Submicrometer MOS and Bipolar Devices	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫