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dc.contributor.author郭雙發en_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:32Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:32Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.govdocNSC84-2215-E009-012zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96589-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=178815&docId=30777en_US
dc.description.abstract本計畫係繼以前的兩個專題:"離子植入蒙地 卡羅機模擬"及"離子植入物理模式研究"而提出 .在以前的專題中,吾人利用蒙地卡羅方法及發 展更完善的電子阻擋物理模式,已成功地建立 一套可以模擬離子植入的計算機程式.此程式 除了可以精確地計算離子植入後的雜質分布之 外,並可得到點缺陷的初步結果.離子植入後,在 超大型積體電路縮小尺寸要求下,必須經快速 退火或低溫爐管退火以得到淺接面.此時,實驗結果顯示,在某一雜質濃度以下,有暫態增強擴 散現象.這是一般現有擴散模式無法解釋與模 擬的.此暫態增強擴散與缺陷種類、退火程序 中點缺陷產生特徵、缺陷所在位置、分布及主 要擴散機動等要素息息相關,而相關研究又無 定論.因此,發展一套快速退火擴散模式有其必 要.過去,吾人已成功發展了離子植入模擬程式 及電子阻擋物理模式,並已精確地算出雜質分 布及點缺陷分布.在本計畫中,吾人將專注於缺陷的研究.並且利用數值分析方法求解由雜質 及缺陷交互影響下的擴散方程式,以發展一套 離子植入後經快速退火之擴散模式及包含此模 式之雜質擴散模擬程式.此程式不但可以處理 快速退火製程中的暫態增強擴散問題,且與吾 人先前所發展的離子植入程式相銜接,而可模 擬離子植入矽、氧化氮、氮化矽及金屬矽化物 中,經快速退火後的雜質及缺陷分布.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject製程模擬zh_TW
dc.subject離子植入zh_TW
dc.subject快速退火zh_TW
dc.subject擴散模型zh_TW
dc.subjectProcess simulationen_US
dc.subjectIon implantationen_US
dc.subjectRapid thermal annealingen_US
dc.subjectDiffusionmodelen_US
dc.title植入雜質在快速退火時的擴散模式zh_TW
dc.titleDiffusion Model of Implanted Dopants during Rapid Thermal Annealingen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程研究所zh_TW
顯示於類別:研究計畫