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dc.contributor.author陳衛國en_US
dc.contributor.authorWEI-KUOCHENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:33Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:33Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.govdocNSC84-2112-M009-010zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96611-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=177230&docId=30408en_US
dc.description.abstractAlAs/sub 1-x/Sb/sub x/是InP系列中能隙最寬的半 導體材料,具有高肖特基能、低折射係數的優 點,是適合于光電元件之應用.但其鋁及銻含量 過高樣品準備不易,基本物理性質研究極度缺 乏.本實驗室經過過去數年持續的努力,是世界 上少數能合成AlAsSb薄膜之研究群.在計畫中擬 對AlAs/sub x/Sb/sub 1-x/半導體進行一系列拉曼光 譜研究.建立此一新材料不同組成成分的拉曼 頻譜強度、頻移、頻寬等基本資料.並確定 AlAsSb之聲子振動行為模式屬性.因在磊晶過程 中,Al原子極易與O原子氧化反應,造成結構缺陷, 我們亦將藉此檢查其與拉曼光譜之相關性.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject銻砷化鋁zh_TW
dc.subject拉曼光譜zh_TW
dc.subjectAlAsSben_US
dc.subjectRaman spectroscopyen_US
dc.title銻砷化鋁混合晶體拉曼光譜研究zh_TW
dc.titleRaman Spectra Study of the Mixed Crystal AlAs/sub x/Sb/sub 1-x/en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子物理研究所zh_TW
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