銻砷化鋁混合晶體拉曼光譜研究

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	陳衛國	en_US
dc.contributor.author	WEI-KUOCHEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:33Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:33Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2112-M009-010	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96611	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=177230&docId=30408	en_US
dc.description.abstract	AlAs/sub 1-x/Sb/sub x/是InP系列中能隙最寬的半導體材料,具有高肖特基能、低折射係數的優點,是適合于光電元件之應用.但其鋁及銻含量過高樣品準備不易,基本物理性質研究極度缺乏.本實驗室經過過去數年持續的努力,是世界上少數能合成AlAsSb薄膜之研究群.在計畫中擬對AlAs/sub x/Sb/sub 1-x/半導體進行一系列拉曼光譜研究.建立此一新材料不同組成成分的拉曼頻譜強度、頻移、頻寬等基本資料.並確定 AlAsSb之聲子振動行為模式屬性.因在磊晶過程中,Al原子極易與O原子氧化反應,造成結構缺陷, 我們亦將藉此檢查其與拉曼光譜之相關性.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	銻砷化鋁	zh_TW
dc.subject	拉曼光譜	zh_TW
dc.subject	AlAsSb	en_US
dc.subject	Raman spectroscopy	en_US
dc.title	銻砷化鋁混合晶體拉曼光譜研究	zh_TW
dc.title	Raman Spectra Study of the Mixed Crystal AlAs/sub x/Sb/sub 1-x/	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理研究所	zh_TW
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