高雜質準二維半導體結構內自由載子之吸收現象

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳啟宗	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:34Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:34Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2215-E009-014	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96635	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=177207&docId=30402	en_US
dc.description.abstract	高雜質半導體內自由載子吸收的量子原理, 可引伸來處理自由載子受限於準二維半導體結構之材料,如異質半導體疊層接合,半導體薄膜和反轉層半導體等.由於這些準二維結構內載子之受限,令尺度量子化開始成為決定半導體之電性和光性之重要因子.除了直接帶間或次帶間之光躍遷外,光吸收亦可由間接能帶內之光躍遷產生,使晶體內之載子吸收或放出一個光子,同時產生聲子散射或雜質散射.當載子受聲子散射時,其載子之運動受限於垂直量子化磁場之平面.研究結果指出自由載子之吸收係數與相對於磁場方向之輻射場極化方向有關. 對於高雜質半導體,其吸收係數可能顯示出與非簡併半導體大不相同.因此,我們將探討高雜質準二維半導體結構之吸收係數.考慮輻射場沿層面極化和垂直於層面極化所產生之自由載子吸收,而載子與聲子之交互作用假設為形變位能耦合和壓電耦合機構,載子之分布為費密- 迪爾克分布函數.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	高雜質半導體	zh_TW
dc.subject	自由載子吸收	zh_TW
dc.subject	聲子	zh_TW
dc.subject	二維半導體結構	zh_TW
dc.subject	輻射場	zh_TW
dc.subject	形變位能耦合	zh_TW
dc.subject	壓電耦合	zh_TW
dc.subject	Highly doped semiconductor	en_US
dc.subject	Free-carrier absorption	en_US
dc.subject	Acoustic phonon	en_US
dc.subject	Two-dimensional semiconducting structure	en_US
dc.subject	Radiation field	en_US
dc.subject	Deformation-potential coupling	en_US
dc.subject	Peizoelectric coupling	en_US
dc.title	高雜質準二維半導體結構內自由載子之吸收現象	zh_TW
dc.title	Free-carrier Absorption in Highly Doped Quasi-two-dimensional Semiconducting Structures	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫