磷化銦高能隙材料能障研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳衛國	en_US
dc.contributor.author	WEI-KUOCHEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:35Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:35Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2215-E009-028	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96645	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=175882&docId=30089	en_US
dc.description.abstract	本計畫擬以AlAsSb/InP結構,提昇InP材料肖特基能障.長久以來InP因本身與金屬介面的費米能階針扎效應(Fermi-pinning)造成能障過低,致使其肖特基元件性能不佳.一般而言,較高能隙常較易獲得較高的肖特基能障.而AlAsSb是InP材料系列中最高能隙半導體,若以AlAsSb作為金屬與半導體之中介層,應可有效提昇InP肖特基特性. AlAsSb雖屬熱力學晶體禁制區材料(Miscibillity gap) ,磊晶條件狹窄,但本實驗室已成功以MOCVD合成AlAsSb薄膜.在計畫過程中,將深入探討如何降低薄膜背景濃度,尤其是AlAsSb表面清洗技術,事關 Schottky特性之良寙,以及適合的肖特基金屬蒸鍍材料,以尋求適當的InP肖特基結構.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	磷化銦	zh_TW
dc.subject	肖特基能障	zh_TW
dc.subject	費米針孔效應	zh_TW
dc.subject	Indium phosphide	en_US
dc.subject	Schottky barrier height	en_US
dc.subject	Fermi pinning effect	en_US
dc.title	磷化銦高能隙材料能障研究	zh_TW
dc.title	Enhancement of InP Schottky Barrier Height by Using AlAs Intermediate Layer	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫