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dc.contributor.author羅正忠en_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:36Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:36Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.govdocNSC84-2215-E009-002zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96659-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=164563&docId=27584en_US
dc.description.abstract高純度、低溫製程是極大型積體電路技術 發展必然的趨勢.本計畫係利用快速加熱製程 所擁有特殊的性能來製作超潔淨、超薄閘極氧 化層和雙層複晶中間的介電質.計畫研究方向 分為三部分:(1)用Cold-wall快速加熱設備中的高 真空和Loadlock能力,在晶片傳送到製程腔內時, 先把水氣和其他可能造成汙染的雜質抽掉,用 In-situ氫氣作晶片表面清洗,用N/sub2/O來長氧化 層,之後用快速加熱化學氣相沈積來長閘極複 晶;(2)研究熱氧化層和化學氣相沈積氧化層的 夾層閘極介電質:本計畫將嘗試一種新的製程 技術,即先用N/sub 2/O長第一層熱氧化層,用快速 加熱方式在同一個腔內沈積CVD氧化層,疊在原有的熱氧化層之上,最後用氬氣或稀釋的氧氣 或N/sub 2/O來Densify CVD氧化層;(3)研究雙層複晶中 間介電質新的製程技術,目的為應用此項技術 在EPROM、EEPROM和Flash產品上來增強Chargeretention 的能力.所提新的方法為用N/sub 2/O在第一層複 晶上長熱氧化層.然後用RTCVD沈積氮化矽,最上 層的氧化物可用熱氧化或化學氣相沈積,第二 層複晶也是在同一腔內用快速加熱氣相沈積, 完全避免可能產生的汙染.寄望本計畫研究成 果能對未來之積體電路技術之氧化層/介電質 成長,提供一高良率與可靠性之製程.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject快速加熱製程zh_TW
dc.subject加速加熱氧化zh_TW
dc.subject氮化zh_TW
dc.subject快速加熱化學氣相沈積zh_TW
dc.subjectRapid thermal processen_US
dc.subjectRapid thermal oxidationen_US
dc.subjectNitridingen_US
dc.subjectRapid thermalchemical vapor depositionen_US
dc.title快速加熱氧化氮化和化學氣相沈積對極大型積體電路製程技術之研究zh_TW
dc.titleRapid Thermal Oxidation, Nitridation and Chemical Vapor Deposition for ULSI Fabrication Technologyen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程研究所zh_TW
顯示於類別：研究計畫


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