矽基單晶微波積體電路振盪器之研製

Abstract

本計畫係82年度申請已核准執行之計畫(案 號NSC83-0404-E009-007),"矽基單晶微波積體電路( SiMMIC)電晶體及被動元件之研製"個人計畫(三年 )改請整合型計畫之第四子計畫.本計畫之目的 在利用已發展成功之矽基微波雙極性電晶體( Bipolar transistor)及被動元件如電阻、電容、電 感、傳輸線或波導等.配合無線通信之需求,在 製程上予以整合.先設計改良雙極性電晶體之 特性,改用複晶矽射極(Poly emitter)技術,以提升 其頻率,使適合作射頻振盪之用,其頻率在800MHz 至2.5GHz之間,並研究以複晶矽作電阻,共平面波 導(Coplanar waveguide)作連接線以減低傳輸損失, 使回授相位達360.degree.而振盪.最重要之工作為 電晶體特性之改良,參數擷取以供電路設計之 需,並整合製程使主動元件與波動元件之製作 能在最少裝程步驟,最少光罩需要要求下裝出 單晶積體電路.本計畫先期以改良矽基雙極性 電晶體(SiBJT)並研究SiGe材料及技術.第二年即開 始設計及製作Ring oscillator MMIC,其結果經測試後 供第三年作改良設計之用並開始試製SiGe HBT元 件.第三年以製作適合無線通信之RF振盪器並設 計試製電壓控制振盪器(Voltage controlled oscillator, VCR)以作爾後矽基MMIC製作之基礎.後期 之研究工作與SiBJT及SiGe HBT並進,以決定適合之 頻率領域.