抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳明哲	en_US
dc.contributor.author	CHEN MING-JER	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:41Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:41Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2215-E009-005	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96731	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=186747&docId=32342	en_US
dc.description.abstract	本計畫將以一年時間全力投注於攸關深次微米金氧半元件技術可靠性的重要課題:穿隧引致漏電流及其衍生性能劣化,以強化研究深度、建立完整理論架構、實驗驗證,並提出量化之設計規範以抑制此問題.理論架構涵蓋了二維模擬漏電流解析式物理模式及性能劣化解析式物理導向經驗公式,量測範圍在不同Stress 時間、不同高低溫、不同偏壓及不同脈衝條件下為之,所量測的測試鍵涵蓋了不同閘氧化層厚度,不同汲極結構及不同n/sup +/及p/sup +/攙雜閘極層等,利用受到強力實驗支持的解析式漏電流物理模式及性能劣化解析式物理導向經驗公式,量化之設計規範將被提出以抑制在深次微米金氧半元件中穿隧引致漏電流過大及其造成性能劣化之問題.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	穿隧	zh_TW
dc.subject	漏電流	zh_TW
dc.subject	劣化	zh_TW
dc.subject	深次微米	zh_TW
dc.subject	金氧半導體場效電晶體	zh_TW
dc.subject	Tunneling	en_US
dc.subject	Leakage current	en_US
dc.subject	Degradation	en_US
dc.subject	Deep submicron	en_US
dc.subject	MOSFET	en_US
dc.title	抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範	zh_TW
dc.title	Design Guideline for Suppression of Band-to-Band Tunneling Leakage Induced Performance Degradation in Deep Submicron MOSFET's	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫