次微米元件內汲極漏電流之二維數值模擬

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	汪大暉	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:57Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:57Z	-
dc.date.issued	1994	en_US
dc.identifier.govdoc	E83014	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96974	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=120650&docId=20118	en_US
dc.description.abstract	由閘極電壓所誘發的汲極電流(GIDL)已被視為動態記憶體(DRAM)內一種主要的漏電原因.而此問題將隨著元件內氧化層變薄而益行嚴重. 在本計畫內,吾人將進行一完整的二維數值模擬,以研究此種漏電流的物理特性.關於GIDL的物理機能,主要有兩種傳輸模式.在低汲極電壓時, 電子可藉由Band-to-band穿隧效應而形成漏電流, 關於此部分吾人將發展一間接能帶(Indirect bandgap)之穿隧模式,並配合一般二維元件模擬器 ,以進行模擬.而在高汲極電壓時,電子可由高電場獲得能量,而發生Impact ionization,造成更多的漏電流,對於此種現象,吾人將以能量傳輸方程式(Energy transport equation)或微觀電子模擬法(Monte carls)進行Impact ionization avalanche之模擬,所得漏電流的特性並將與實驗值比對,以資驗證.	zh_TW
dc.description.sponsorship	經濟部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	汲極漏電流	zh_TW
dc.subject	模擬	zh_TW
dc.subject	穿隧效應	zh_TW
dc.subject	累增效應	zh_TW
dc.subject	GIDL	en_US
dc.subject	Simulation	en_US
dc.subject	Tunneling	en_US
dc.subject	Impact ionization	en_US
dc.title	次微米元件內汲極漏電流之二維數值模擬	zh_TW
dc.title	2D Numerical Analysis of Drain Leakage Current in Submicron MOSFET's	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所(NCTUELNG)	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫