磷化銦鎵 / 砷化鎵高崩潰電壓金屬-半導體場效電晶體之研製

標題:	磷化銦鎵 / 砷化鎵高崩潰電壓金屬-半導體場效電晶體之研製 The Study of GaInP/GaAs High Break Voltage MESFET
作者:	呂學士 SHEY-SHILU 國立台灣大學電機工程學系
公開日期:	1994
官方說明文件#:	NSC83-0404-E002-015
URI:	http://hdl.handle.net/11536/97294 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=109729&docId=17459
顯示於類別：	研究計畫