標題: 磷化銦鎵 / 砷化鎵高崩潰電壓金屬-半導體場效電晶體之研製
The Study of GaInP/GaAs High Break Voltage MESFET
作者: 呂學士
SHEY-SHILU
國立台灣大學電機工程學系
公開日期: 1994
官方說明文件#: NSC83-0404-E002-015
URI: http://hdl.handle.net/11536/97294
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=109729&docId=17459
Appears in Collections:Research Plans