多孔質Si電極介面電化學研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	趙書琦	en_US
dc.contributor.author	Chao Shuchi	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:21Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:40:21Z	-
dc.date.issued	1994	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC83-0404-E009-062	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/97407	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=120703&docId=20132	en_US
dc.description.abstract	Si晶體本身的發光性複合效率偏低,一直是Si 不能用作發光性半導體元件的材料的原因,而能隙的過小和能帶結構的非直遷性質則是這種結果的導因.近來,藉由量子結構的載子局限作用而能夠改造能帶結構的工程科技有很大的進展,不但Si的能隙可以加大,能帶結構也可以轉變為直遷性質.光致發光(Photoluminescence)實驗結果顯示,經過改造後具有量子結構的Si表面可以發出肉眼可見的光.這種利用電化學陽極化的方法產生的多孔質Si,目前在製作方面已相當成熟,但是,其物理量測卻有很大爭議.例如,拉曼實驗結果顯示,相對Si晶體本身,多孔質Si的Shift 差有報告是~ 20□/sup -1/也有報告是~ 1□/sup -1/. 導因對發光結構和其物理還不很清楚,多孔質Si 的高效率發光性複合機制尚無法論定.現在,本計畫擬進行一系列多孔質Si電極/電解質介面電化學的實驗,包括激態Cyclicvoltammetry,Mott-schottky 表面電容測量和Fermi-level pinning實驗等,以研究其能態結構,表面電荷和其他表面能態的情形. 這些結果,將有助於對多孔質Si表面之物質□結構和能態的認識,並提供其發光機制的線索.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	多孔矽	zh_TW
dc.subject	電化學	zh_TW
dc.subject	光致發光	zh_TW
dc.subject	表面電容	zh_TW
dc.subject	Electrochemistry	en_US
dc.subject	Photoluminescence	en_US
dc.subject	Surface capacitance	en_US
dc.title	多孔質Si電極介面電化學研究	zh_TW
dc.title	Interfacial Electrochemistry of the Porous Si Electrodes	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫