Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 荊鳳德 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:40:32Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:40:32Z | - |
dc.date.issued | 1994 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC83-0417-E009-017 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/97600 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=127654&docId=21351 | en_US |
dc.description.abstract | 近年來,晶格匹配於GaAs基板的InGaP等三五族 化合物,因具有較大的直接能隙,激發波長約從 550nm至670nm,為可見光區發光元件理想材料,極具 商業開發價值的潛力.相較於AlGaAs/GaAs及 InGaAsP/InP雷射二極體系列,InGaAlP/GaAs仍屬發展較 晚的領域,許多雷射的相關特性,仍需更進一步 加以研究及改進(如:高功率條件下之熱阻與室 溫連續操作的關係,鏡面鍍膜對雷射退化機制 的改善...等).由於當元件縮小至小尺寸時,量子 現象便顯現出來,因此研究量子效應對半導體 雷射的影響,實在是往後設計元件上的一大考 慮. | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 雷射二極體 | zh_TW |
dc.subject | 磷化鋁鎵銦 | zh_TW |
dc.subject | 量子能井結構 | zh_TW |
dc.subject | Lasor diode | en_US |
dc.subject | AlGaInP | en_US |
dc.subject | Quantum well structure | en_US |
dc.title | 光電及微波元件技術發展---子計畫二:雷射二極體及量子井結構(I) | zh_TW |
dc.title | Development of Laser Diodes and Quantum Well Structure(I) | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 國立交通大學電子工程研究所 | zh_TW |
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