研製耐輻射/耐放射線之半導體基板SOI(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	葉清發	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:43Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:40:43Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-F-SP-009-07	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/97745	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=18483&docId=2069	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	研製耐輻射/耐放射線之半導體基板SOI(I)	zh_TW
dc.title	Fabrication of Radiation-Hardened SOI Substrate(Ⅰ)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫