以活性離子侵蝕法做GaAs閘侵蝕和孔洞侵蝕製程之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:51Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:40:51Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-258	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/97898	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=60230&docId=8844	en_US
dc.description.abstract	活性離子侵蝕(Reactive Ion Etch)是砷化鎵元件製程中很重要的一環,其應用主要用在GaAs的蝕刻方面,由於元素成份差異極大,且牽涉到影響GaAs元件本身Active Layer的閘侵蝕,因此尚有極大的研究空間.一般活性離子侵蝕砷化鎵不同成分磊晶層,除前述之閘侵蝕外,尚有Via Hole Etch,在此項蝕刻中, 活性離子須穿過不同成分之磊晶層,直達 Metallization Layer.閘侵蝕和Via Hole Etch之最大區別,即在於不同磊晶層蝕刻速率Selectivity(選擇性侵蝕)差別越大越好, 而Via Hole Etch則無此蝕刻率區別之必要,以往之GaAs Etch,常以CCl/sub 2/F/sub 2//F/sub 2/為之,但在Gate Recess 中�因CCl/sub 2/F/sub 2//F/sub 2/會有Polymer殘留.� Reproducibility差.�CCl/sub 2/F/sub 2/會破壞大氣臭氧層.因此一般公司及研究機構都在尋求新的腐蝕性氣體做為此方面應用的代替品.本計畫擬以不同之氣體對不同元素及成份之磊晶層,做蝕刻速率及反應機構研究,以為應用在元件閘侵蝕和Via Hole Etch之基礎.所採用反應氣體,包括 BCl/sub 3/,Cl/sub 2/,SiCl/sub 4/,CHCl/sub3/,CH/sub 4/,BF/sub 3 /,CF/sub 4/等,從事對三五族磊晶層,包括GaAs,AlGaAs, InGaP,InGaAs,等不同磊晶層蝕刻速率研究.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	活性離子侵蝕	zh_TW
dc.subject	閘侵蝕	zh_TW
dc.subject	砷化鎵元件	zh_TW
dc.subject	三五族磊晶層	zh_TW
dc.subject	Reactive ion etch	en_US
dc.subject	Gate recess	en_US
dc.subject	GaAs device	en_US
dc.subject	III-V Epi-Layer	en_US
dc.title	以活性離子侵蝕法做GaAs閘侵蝕和孔洞侵蝕製程之研究	zh_TW
dc.title	Development of GaAs Gate Recess and Via Hole Etch Process Using Reactive Ion Etch Method	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學材料科學工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫