標題: 在矽基板整合40奈米三五族與鍺量子井場效電晶體作為低功率與高速無線之應用( III )
Integration of 40 Nm Iii-V and Ge Quantum Well Fets on Si Substrate for Low-Power and High Speed Wireless Applications
作者: 張翼
CHANG EDWARD YI
國立交通大學材料科學與工程學系(所)
公開日期: 2011
官方說明文件#: NSC100-2120-M009-001
URI: http://hdl.handle.net/11536/98927
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2358000&docId=373317
顯示於類別:研究計畫