以高分子作為感應偶合電漿反應離子蝕刻側壁保護層以製作單晶矽懸浮微結構之快速製程平台研發

標題:	以高分子作為感應偶合電漿反應離子蝕刻側壁保護層以製作單晶矽懸浮微結構之快速製程平台研發 Development a Rapid Fabrication Platform for Suspended Single-Crystal-Silicon Microstructures by Icp-Rie with Polymer as Side-Wall Protection Layer
作者:	徐文祥 HSU WENSYANG 國立交通大學機械工程學系（所）
關鍵字:	感應耦合電漿;乾蝕刻;高分子;保護層;懸浮;單晶矽;ICP;dry etching;polymer;passivation;suspended;SCS
公開日期:	2011
官方說明文件#:	NSC100-2221-E009-034
URI:	http://hdl.handle.net/11536/99658 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2328558&docId=365245
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。