新穎二六族氧化物半導體之成長與光電特性研究

標題:	新穎二六族氧化物半導體之成長與光電特性研究 Growth and Optoelectronic Properties of Novel Ii-Vi Oxide Semiconductors
作者:	林彥丞 Lin Yan-Cheng 國立交通大學電子物理學系（所）
公開日期:	2013
官方說明文件#:	NSC102-2112-M009-001-MY2
URI:	http://hdl.handle.net/11536/99728 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3111980&docId=422392
顯示於類別：	研究計畫