新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用

標題:	新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用 Novel Transparent Resistive Random Access Memory for High Density and Low Power Nonvolatile Memory Application
作者:	曾俊元 TSENG TSEUNG-YUEN 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2013
官方說明文件#:	NSC102-2221-E009-134-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/99739 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3085940&docId=414884
顯示於類別：	研究計畫