12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫三：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)

Date

Authors

TSEUNG-YUENTSENG

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=548932&docId=101309
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/100039

Collections

研究計畫;;Research Plans