標題: 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫三:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)
Growth and Characterizations of CVD BST Thin Films(II)
作者: 曾俊元
TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學電子工程學系
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2212-E009-081
URI: http://hdl.handle.net/11536/100039
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=548932&docId=101309
顯示於類別:研究計畫