12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫IV：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(I)

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892212E009040.pdf (482.91 KB)

Date

Authors

TSEUNG-YUENTSENG

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=718398&docId=134744
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/91308

Collections

研究計畫;;Research Plans