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Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫Ⅱ:BST 介電薄膜在12吋矽晶圓上快速熱回火製程中熱物理性質及熱應力之研究(II)(2001) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程研究所Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫II:BST 介電薄膜在12吋矽晶圓上快速熱回火製程中熱物理性質及熱應力之研究(III)(2002) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程研究所Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫II:BST介電薄膜在12吋矽晶圓上快速熱回火製程中熱物理性質及熱應力之研究(I)(2000) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程系Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫二:BST 介電薄膜在12吋矽晶圓上快速熱回火製程中熱物理性質及熱應力之研究(II)(2000) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程研究所Item type:Item, 8吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫II:LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析(III)(1999) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程研究所Item type:Item, SARS防護系統技術整合應用計畫(2003) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程學系Item type:Item, Y-Ba-Cu-O高溫超導薄膜材料熱學及電學性質之研究(II)(1995) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程研究所高溫超導體之應用以薄膜材料最具潛力.在 薄膜超導材料的應用領域中,超導感測器和超 導體與半導體混成電子元件是最被看好的應用 .但是由於操作時,局部的熱干擾會增加超導材 料的溫度及降低其臨界溫度,嚴重時會產生不 穩定現象,而使得整個元件變成非超導性,進而 造成嚴重的破壞.本計畫一三年的計畫,今年為 第二年計畫.本研究將針對Y-Ba-Cu-O高溫超導薄 膜材料之熱學性質及電學性質做深入的量測及 研究,以為未來工業應用上之參考.在第二年中, 本計畫之重點在高溫超導薄膜之製程、電學性 質與熱傳導係數之量測及薄膜材料表面輻射性 質在低溫狀態下之量測.至於理論分析部分,將 針對高溫超導薄膜材料製成之輻射熱偵測器之 熱傳現象建立理論模式.由於薄膜與基板界面 間之熱阻抗將嚴重影響輻射熱偵測器之性能, 本研究將應用聲異理論(Acousticmismatch theory)建 立界面熱阻抗之理論模式.最後由於Y-Ba-Cu-O高溫超導材料具有強烈之不等向性(Anisotropy),為 了量測及分析其熱傳導係數,必須建立理論模 式先予分析,再應用雷射閃光法量測其熱傳導 係數.高溫超導薄膜在應用時,熱的問題主要在 熱穩定性問題和熱傳導,熱傳導性質部分,本計 畫擬延續第一年計畫的薄膜熱傳導係數c-方向 分量的量測研究,在本年度中針對薄膜c-方向和 ab-面的熱傳導係數分量量測建立量測理論,並 利用第一年建立之量測設備加以修改以進行Y-Ba-Cu-O超導薄膜非等向熱傳導係數的實驗量測 .Item type:Item, Y-Ba-Cu-O高溫超導薄膜材料熱學及電學性質之研究(II)(1993) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程學系Item type:Item, 介電材料多層薄膜中微觀熱傳現象研究(I)(2000) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程研究所Item type:Item, 介電材料多層薄膜中微觀熱傳現象研究(Ⅱ)(2001) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程研究所Item type:Item, 八吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫二:LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析(II)(1998) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程系本計劃為三年計劃,其主要目的在探討LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析。研發的主題有:(1) 量測加熱燈源之輻射頻譜(2) 晶圓輻射特性之量測及分析(2)分析晶圓在加熱過程中之溫度分佈(3) 晶圓之熱應力分析(4) 製程參數對晶圓溫度分佈與熱應力之影響分析研發目標有:(4) 經由實驗量測以瞭解加熱燈源之輻射能頻譜分佈,進而對加熱燈源做最佳化設計之依據(5) 經由實驗量測晶圓之垂直穿透率及反射率進而推導出晶圓之輻射特性(6) 藉由晶圓加熱過程中之溫度分佈以及熱應力分佈分析,找出高品質Ta2O5薄膜之最佳化參數(7) 經由加熱系統之分析資料,設計新的加熱系統以獲得大面積晶圓等溫區域及高品質Ta2O5薄膜本年度計畫之內容以下面四個步驟來進行:(1) 以輻射頻譜量測系統量測RT-LPCVD製程設備中加熱燈源之輻射頻譜(2) 建立晶圓穿透率及反射率量測系統並測試完成(3) 建立數值計算模擬晶圓在製程中溫度分佈與熱應力分析(4) 找出晶圓均質化最佳的加熱參數Item type:Item, 單晶CVD薄膜和熔化成長法製程中之不穩定熱流與使其穩定之研究---子計畫四:垂直布氏爐單晶熔化成長製程中的流體運動及熱傳之數值研究(I)(1996) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程研究所Item type:Item, 垂直同心圓柱間具熱傳效應之暫態雙擴散自然對流現象分析(1995) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程學系Item type:Item, 垂直同心圓柱間具輻射熱傳效應之暫態自然對流現象分析(1994) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程研究所Item type:Item, 尺寸效應及界面熱阻對低維度超晶格材料熱傳影響之研究(I)(2005) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程系隨著科技的進步使得固態元件的尺寸進入了奈米世界,雖然有效地提 升元件運轉速度、並降低製造成本,但元件的高密度聚集卻產生了大量的 熱,因此散熱能力成為確保電子元件能安全運轉的重要指標。而由過去研 究指出,以傳統傅立葉熱傳導定律模擬微尺度下的熱傳問題,常有高估的 現象,導致散熱效果不如預期,因此對於微觀熱傳機制的瞭解就變得非常 重要。 另一方面,微觀尺度下的熱物理性質受到尺寸效應的影響,出現大幅 度的改變。當薄膜厚度接近於聲子平均自由徑時,其等效熱傳導係數隨著 厚度的縮小而明顯降低。如低維度半導體材料(超晶格結構、超晶格奈米 線)的熱傳導係數低於其巨觀值一至兩個數量級,使得其在熱電方面有極 大的應用價值。 本計畫為二年期計畫,目的在建立一套微觀熱傳理論模式,模擬低維 度半導體材料的熱傳行為,確實掌握其熱物理性質。第一年將從聲子輻射 熱傳模式出發,分析幾何結構、尺寸效應及界面熱阻對低維度半導體材料 熱物理性質之影響;第二年進一步應用不同的界面理論(如聲異理論模式、 散異理論模式及散射聲異理論模式等)處理界面問題,並和實驗結果比較, 找出不同界面理論適用的範圍。另外,分析超晶格結構中摻雜不均勻的量 子點對其熱傳行為之影響。Item type:Item, 尺寸效應對非平板固態系統中微觀熱傳現象影響之研究(I)(2003) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程學系Item type:Item, 尺寸效應對非平板固態系統中微觀熱傳現象影響之研究(II)(2004) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程系Item type:Item, 建築物地面裝修材防焰性認定基準之研究(1993) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學Item type:Item, 機械工程之實作學程教學改進研究---總計畫(II)(1996) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN國立交通大學機械工程學系Item type:Item, 機械工程之實作學程教學改進研究---總計畫(III)(1998) ;曲新生 ;CHU, HSIN-SEN交通大學機械工程系