1. 目前位置：

瀏覽 的方式： 作者 簡昭欣

跳到： 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字：  
顯示 21 到 40 筆資料，總共 86 筆 < 上一頁   下一頁 >
公開日期標題作者
1-一月-2018半導體裝置及其製作方法簡昭欣; 劉繼文; 周承翰
1-十月-2016半導體裝置及其製造方法簡昭欣; 潘正聖; 周承翰
2012原子層沉積三氧化二鋁介電層於砷化銦鎵金氧半電容之電性與化性的研究鄒秉翰; Tsou, Ping-Han; 簡昭欣; Chien, Chao-Hsin; 電子工程學系 電子研究所
2013原子層沉積二氧化鋯/三氧化二鋁於砷化銦鎵金氧半電容之電性與表面化性分析的研究張邦聖; Chang, Pang-Sheng; 簡昭欣; Chien, Chao-Hsin; 電子工程學系 電子研究所
2010原子層沉積氧化鋁閘極介電層之砷化鎵通道元件電性研究何宗霖; He, Tsung-Lin; 簡昭欣; Chien, Chao-Hsin; 電子研究所
2008原子層沉積高介電係數氧化鋁閘極介電層之三五族元件電物性研究江欣哲; Hsin-Che Chiang; 簡昭欣; Chao-Hsin Chien; 電子研究所
2012吲哚啉染料運用在多種後處理二氧化鈦奈米管薄膜陣列的染料敏化太陽能電池元件徐兆治; 簡昭欣; 電子研究所
2010國立交通大學電子工程學系簡昭欣教師升等送審著作論文集簡昭欣
2007國立交通大學電子工程系簡昭欣教師升等送審資料論文集簡昭欣
2008在二氧化鉿為基底之高介電係數閘極介電層中的載子捕捉與逃逸的電性行為詹效諭; Shiao-Yu Chan; 簡昭欣; Chao-Hsin Chien; 電子研究所
16-九月-2007在矽（110）基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構羅廣禮; 簡昭欣; 楊宗
1-十二月-2008在矽（110）基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構羅廣禮; 簡昭欣; 楊宗; 張俊彥
2015在砷化銦鎵金氧半場效電晶體上製造之高介電閘極氧化層堆疊結構的研究江昀融; 簡昭欣; Chiang, Yun-Zong; Chien, Chao-Hsin; 電子工程學系 電子研究所
2012在鍺通道金氧半場效電晶體上使用後沉積氧化製造二氧化鉿/三氧化二鋁/氧化鍺/鍺之閘極介電層堆疊結構的研究吳哲鎮; Wu, Che-Chen; 簡昭欣; Chien, Chao-Hsin; 電子研究所
2012在鍺通道金氧半場效電晶體上去釘札後蕭特基二極體以及n+/p二極體的研究陳韋志; Chen, Wei-Chih; 簡昭欣; Chien, Chao-Hsin; 電子研究所
2013在鍺通道金氧半場效電晶體上製造閘極介電層二氧化鋯/鍺堆疊結構之研究李品輝; Li, Pin-Hui; 簡昭欣; 李義明; Chien, Chao-Hsin; Li, Yi-Ming; 電信工程研究所
2010奈米固相磊晶製作碳化矽應變矽場效電晶體之研究蔡振華; 簡昭欣; 電機學院電子與光電學程
2009對於電化學沉積的氧化亞銅/二氧化鈦塊材異質接面特性的研究許文朋; Hsu, Wen-Peng; 簡昭欣; Chien, Chao-Hsin; 電子研究所
2007對染料敏化太陽能電池之結構調整與相應電子行為分析郭宇彥; Yu-Yen Kuo; 簡昭欣; Chao-Hsin Chien; 電子研究所
2004後沉積之一氧化二氮氣體電漿處理對二氧化鉿堆疊式閘極金氧半場效電晶體電性之影響李聰杰; Tsung-Chieh Lee; 黃調元; 簡昭欣; Tiao-Yaun Huang; Chao-Hsin Chien; 電子研究所
顯示 21 到 40 筆資料，總共 86 筆 < 上一頁   下一頁 >