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公開日期標題作者
1996低溫化複晶矽氧化層之製程及其在穿隧氧化層之影響陳鴻祺; Chen, Hong-Chi; 雷添福; Lei Tan-Fu; 電子研究所
1989低溫結晶低壓化學氣相沉積非晶矽薄膜電晶體之製程效應吳集錫; WU,JI-XI; 雷添福; 謝太炯; LEI,TIAN-FU; XIE,TAI-JIONG; 電子物理系所
2005低溫複晶矽薄膜電晶體之氟鈍化製程與可靠度的研究王獻德; Shen-De Wang; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2005低溫複晶矽薄膜電晶體之負偏壓溫度不穩定研究李伯浩; 雷添福; 電子研究所
2005低溫複晶矽薄膜電晶體之遷移率與可靠度之研究徐源竣; Yuan-Jiun Hsu; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2006低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究張哲綸; Che-Lun Chang; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2007低溫複晶矽薄膜電晶體負偏壓溫度不穩定與天線效應之研究陳志仰; 雷添福; 電子研究所
1995使用UHV/CVD低溫成長複晶矽於次微米元件之應 用雷添福; LEI TAN-FU; 國立交通大學電子工程研究所
1990使用再結晶低壓化學氣相沉積非晶矽膜的Ｐ通道底閘薄膜電晶體之製造和特性楊健國; YANG,JIAN-GUO; 雷添福; 謝太炯; LEI,TIAN-FU; XIE,TAI-JIONG; 電子物理系所
1993使用沉積矽化鎢與複晶矽和非晶矽結構形成之複晶矽化鎢閘極之研究廖修漢; Shiou-Hann Liaw; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
1986使用矽化鈦接觸系統從事垂直卡爾文測試電阻結構之研究楊文祿; YANG, WEN-LU; 李崇仁; 雷添福; LI, CHONG-REN; LEI, TIANN-FU; 電子研究所
1991使用複晶矽(非晶矽)為擴散源形成複晶矽化鈦淺椄面之研究黃正同; HUANG, ZHENG-TONG; 雷添福; 李崇仁; LEI, TIAN-FU; LI, CHONG-REN; 電子研究所
2006元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響林榮俊; Jung-Chun Lin; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
1996先進矽化鈦技術在超大型積體電路上之應用黃正同; Huang, Cheng Tung; 雷添福; Tan Fu Lei; 電子研究所
2002具副閘極之多晶矽薄膜電晶體製作與特性研究俞正明; Cheng-Ming Yu; 雷添福; 林鴻志; Tan-Fu Lei; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2007具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究馬鳴汶; Ming-Wen Ma; 雷添福; 趙天生; Tan-Fu Lei; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
1996分裂閘極式可抹除編寫記憶晶胞之編寫能力特性研究楊理揚; YANG, LI-YANG; 雷添福; Dr. Tan-Fu Lei; 電子研究所
1999利用 N2O 與 N2 氣體快速加熱氮化於 PECVD TEOS閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究朱浚學; Juing-Shae Chu; 雷添福; 李崇仁; Dr. Tan-Fu Lei; Dr. Chung-Len Lee; 電子研究所
1998利用CVD TEOS 在二矽烷複晶矽和堆疊結構複晶矽薄膜上沈積氧化層之特性分析陳萬得; Won-Der Chen; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
1993利用N2O氧化物及疊形非晶矽結構(SAS)抑制P+多晶矽閘中Boron的穿透效應王泉富; Wang, Quan-Fu; 雷添福; Lei, Tian-Fu; 電子研究所
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