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公開日期標題作者
1998由矽磊晶到極平整之超薄氧化層製作林柏村; B. C. Lin; 蔡中; 荊鳳德; 陳文照; C. Tsai; Albert Chin; W. J. Chen; 電子研究所
2003矽化鎳及鍺化鎳之金屬閘極在電晶體上的研究林祺穆; Chi-Mu Lin; 荊鳯德; Albert Chin; 電子研究所
1999磊晶矽鍺合金的成長及其在元件的應用巫勇賢; Wu YungHsien; 荊鳳德; 吳啟宗; Albert Chin; Chhi-Chong Wu; 電子研究所
2007金屬矽化物-高介電常數介電質-半導體場效應電晶體之電性研究黃俊哲; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2000銅污染對閘極絕緣層的效應及影響林憶霞; Yih-Hsia Lin; 荊鳳德; 蔡中; Albert Chin; Chun Tsai; 電子研究所
2002鎳:矽/鍺化合物在光電積體電路上的特性及應用林全益; Elvis Chuan-Yi Lin; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2007電流重複用之超寬頻金氧半低雜訊放大器應用於3.1-10.6GHZ李富國; Fu-Kuo Li; 荊鳳德; Albert Chin; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2007非對稱性LDD金氧半元件之單刀雙擲開關應用於超寬頻3.1~10.6GHz之研究李佩諭; Pei-Yu Lee; 荊鳳德; 鄭裕庭; Albert Chin; Yu-Ting Cheng; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2007非對稱輕摻雜汲極金屬氧化半導體電晶體應用於2.4GHz 射頻功率放大器陳膺任; Ying Jen Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2002高介電係數介電質在金屬-絕緣層-金屬結構電容上的應用賴軍宏; Lai Chun Hung; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2006高介電係數介電質在金氧金電容之研究江國誠; Kuo-Cheng Chiang; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2006高介電係數介電質與金屬閘極製程技術之研究與應用洪彬舫; Bing-Fang Hung; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2006高介電係數介電質與金屬閘極製程技術應用在金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽結構之非揮發性記憶體賴軍宏; Chun-Hung Lai; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2006高介電常數介電質於金屬-絕緣層-金屬電容之電性研究簡俊全; Chun-Chuan Chien; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2002高介電常數介電質的電性及其在元件上的應用陳晞白; Shi-Bai, Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2007高介電常數介電質金屬-絕緣層-金屬電容應用於動態李建弦; Chien-Hsien Li; 荊鳳德; Albert Chin; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2007高介電常數介電質金氧金電容應用於動態記憶體與射頻元件之研究鄭淳護; Chun-Hu Cheng; 周長彬; 荊鳳德; Chang-Pin Chou; Albert Chin; 機械工程學系
2006高介電常數金屬-絕緣層-金屬電容電性及其可靠度之研究陳冠麟; Guan Lin Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2004高介電常數閘極介電質熱氧化氧化鋁在金氧半電晶體的電性及應用廖金昌; Chin Chang Liao; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
1999高介電質材料氧化鑭之研究王俊彬; J. B. Wang; 荊鳳德; 蔡　中; Albert Chin; C. Tsai; 電子研究所
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