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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Wang, PY
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顯示 1 到 19 筆資料,總共 19 筆
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標題
作者
1-一月-2000
Admittance spectroscopy and thermal stimulation current for band-offset characteristics in AlAs/GaAs n(+)-p structures
Chen, JF
;
Wang, JS
;
Wang, PY
;
Chen, NC
;
Hsu, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-十二月-1999
Capacitance dispersion in n-LT-i-p GaAs structures with the low-temperature layers grown at different temperatures
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Weng, CM
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-二月-2000
Carrier depletion by defects levels in relaxed In0.2Ga0.8As/GaAs quantum-well Schottky diodes
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Tsai, CY
;
Chen, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
6-十一月-2000
Carrier distribution and relaxation-induced defects of InAs/GaAs quantum dots
Wang, JS
;
Chen, JF
;
Huang, JL
;
Wang, PY
;
Guo, XJ
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-六月-2000
Effect of growth temperature on the electric properties of In0.12Ga0.88As/GaAs p-i-n multiple-quantum-well diodes
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Wong, HZ
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
15-十月-1998
Effects of high-resistivity, low-temperature layer in transient capacitance measurements of GaAs n-i-p structures
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Chen, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-二月-1997
Electrical characteristics and deep-level admittance spectroscopies of low-temperature grown GaAs p-i-n structures
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Wang, PY
;
Tsai, MH
;
交大名義發表
;
電子物理學系
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electrophysics
2-三月-1998
Low frequency negative capacitance behavior of molecular beam epitaxial GaAs n-low temperature-i-p structure with low temperature layer grown at a low temperature
Chen, NC
;
Wang, PY
;
Chen, JF
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-十一月-1999
Observation of a dominant EL2-like mid-gap trap in In0.12Ga0.88As/GaAs superlattice grown at low temperature by molecular beam epitaxy
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Wong, HZ
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
23-八月-1999
Observation of abnormal capacitance-frequency behavior in In0.12Ga0.88As/GaAs p-i-n superlattice grown at low temperature
Chen, JF
;
Wang, JS
;
Wang, PY
;
Wong, HZ
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
18-十月-1999
Observation of carrier depletion and emission effects on capacitance dispersion in relaxed In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Tsai, CY
;
Wang, JS
;
Chen, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
15-九月-2004
Properties of defect traps in triple-stack InAs/GaAs quantum dots and effect of annealing
Chen, JF
;
Hsiao, RS
;
Shih, SH
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Chi, JY
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-二月-1998
Role of 0.66 eV dominant trap in annealed low-temperature grown molecular beam epitaxial GaAs
Chen, NC
;
Wang, PY
;
Chen, JF
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-二月-2000
Strain relaxation in In0.2Ga0.8As/GaAs quantum-well structures by x-ray diffraction and photoluminescence
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Chen, NC
;
Guo, XJ
;
Chen, YF
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-三月-1996
Structural and electrical properties of GaSb, AlGaSb and their heterostructures grown on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition
Wang, PY
;
Chen, JF
;
Chen, WK
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-六月-1996
Temperature-dependent transport properties of n(+) GaAs/low-temperature GaAs/n(+) GaAs structures grown by molecular beam epitaxy
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Chiu, SY
;
Wang, PY
;
Lee, WI
;
Chin, A
;
電子物理學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electrophysics
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-1996
Temperature-dependent transport properties of n(+) GaAs/low-temperature GaAs/n(+) GaAs structures grown by molecular beam epitaxy
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Chiu, SY
;
Wang, PY
;
Lee, WI
;
Chin, A
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-三月-1999
Transition of carrier distribution from a strained to relaxed state in InGaAs/GaAs quantum well
Wang, PY
;
Chen, JF
;
Wang, JS
;
Chen, NC
;
Chen, YS
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-三月-2000
Voltage and frequency dependence of differential capacitance in relaxed In0.2Ga0.8As/GaAs Schottky diodes
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Wang, JS
;
Wang, PY
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics