1. 目前位置：

瀏覽 的方式： 關鍵字 T-gate

跳到： 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字：  
顯示 1 到 8 筆資料，總共 8 筆
公開日期標題作者
1-八月-2002Impacts of gate structure on dynamic threshold SOI nMOSFETsLo, WC; Chang, SJ; Chang, CY; Chao, TS; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-2004Low-noise metamorphic HEMTs with reflowed 0.1 mu m T-gateLien, YC; Chang, EY; Chang, HC; Chu, LH; Huang, GW; Lee, HM; Lee, CS; Chen, SH; Shen, PT; Chang, CY; 材料科學與工程學系; 電子工程學系及電子研究所; Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-三月-2020A Unique Approach to Generate Self-Aligned T-Gate Transistors in Counter-Doped Poly-Si With High Etching Selectivity and IsotropyHuang, Y. -A.; Liang, C. -Y.; Peng, K. -P.; Chen, K. -M.; Huang, G. -W.; Li, P. -W.; Lin, H. -C.; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2013三五族金屬氧化物半導體場效電晶體應用之低阻抗金屬T型閘極與源/汲極接觸技術蕭亞; Hsiao, Ya; 林建中; Lin, Chien-Chung; 光電系統研究所
2004使用I-line步進機與電子束微影並應用在MHEMT元件的新穎T-形閘極製作方法之研究林勃遠; Paul Po Yuan Paul Lin; 張翼; Edward Y. Chang; 材料科學與工程學系
2005新穎堆疊矽/鍺T型閘極複晶矽薄膜電晶體謝佩珊; Pei-Shan Hsieh; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2001矽在絕緣層上N型金氧半場效電晶體在射頻應用之製程研究黃啟環; Chi-Huan Huang; 張俊彥; Chun-Yen Chang; 電子研究所
2000閘極結構對矽在絕緣層上動態啟始電壓N型金氧半場效電晶體的影響羅文政; Wen-Cheng Lo; 張俊彥; 趙天生; Dr. Chun-Yen Chang; Dr. Tien-Sheng Chao; 電子研究所
顯示 1 到 8 筆資料，總共 8 筆