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公開日期標題作者
2013Data Pattern對NAND快閃記憶體寫入擾動特性之研究郭才豪; Kuo, Tsai-Hao; 張俊彥; 白田理一郎; 電子工程學系 電子研究所
2016NAND 快閃記憶體在少量寫入/抹除操作下異常的次臨界擺幅及轉導回復劉承泓; 白田理一郎; Liu, Chen-Hung; Riichiro, Shirota; 電機工程學系
2017NAND快閃記憶體在寫入及抹除狀態下的保存特性之探討林三景; 白田理一郎; Lin, Sang-Ching; Riichiro, Shirota; 電信工程研究所
2012P型SONOS快閃記憶體電荷注入均勻性與效率之研究李彥輝; Lee, Yen-Hui; 白田理一郎; Riichiro Shirota; 電信工程研究所
11-七月-2014半導體裝置及其操作方法與應用電路白田理一郎; 渡邊浩志
1-一月-2013半導體裝置及其操作方法與應用電路白田理一郎; 渡邊浩志
2017寫入/抹除 偏壓與氧化製程在快閃記憶體之可靠度研究張嘉維; 白田理一郎; Chang, Chia-Wei; Riichiro, Shirota; 電機工程學系
2016快閃記憶體元件抹寫週期可靠度中續航力與操作電壓及氧化製程之關係吳昱廷; 白田理一郎; Wu, Yu-Ting; Riichiro, Shirota; 電信工程研究所
2013探討P 型 SONOS 快閃記憶體元件抹寫週期忍耐度 之研究張如薇; Chang, Ru-Wei; 白田理一郎; Shirota, Riichiro; 電信工程研究所
2017探討快閃記憶體元件製程中氫氣濃度對可靠度特性影響分析之研究楊智翔; 白田理一郎; Yang,Jhih-Siang; Riichiro Shirota; 電機工程學系
2016探討快閃記憶體元件製程中退火氫氣濃度對抹寫特性影響分析之研究林承翰; 白田理一郎; Lin, Chen-Han; Riichiro, Shirota; 電信工程研究所
2012非揮發性快閃記憶體元件電荷分佈與可靠度之探討李富海; Li, Fu-Hai; 白田理一郎; Shirota, Riichiro; 電信工程研究所
2012非揮發性快閃記憶體新式寫入序列方法之研究毛妮娜; Mitiukhina Nina; 白田理一郎; Shirota Riichiro; 電機資訊國際學程
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