瀏覽 的方式: 作者 葉彥顯
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公開日期 | 標題 | 作者 |
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1-七月-2014 | 一種平整化氮化物基板的方法 | 李威儀; 陳奎銘; 吳尹豪; 葉彥顯 |
16-七月-2012 | 一種平整化氮化物基板的方法 | 李威儀; 陳奎銘; 吳尹豪; 葉彥顯 |
16-十月-2010 | 一種成長III-V族氮化物薄膜之方法及其結構 | 李威儀; 黃信雄; 陳奎銘; 葉彥顯 |
16-三月-2012 | 一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法 | 李威儀; 徐瑩珈; 葉彥顯; 陳奎銘 |
1-九月-2013 | 一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法 | 李威儀; 徐瑩珈; 葉彥顯; 陳奎銘 |
1-五月-2013 | 含氮化合物半導體層缺陷之處理方法 | 李威儀; 葉彥顯; 吳尹豪; 余諮宜 |
1-五月-2014 | 含氮化合物半導體層缺陷之處理方法 | 李威儀; 葉彥顯; 吳尹豪; 余諮宜 |
2013 | 氫氣蝕刻氮化鎵之原理與應用 | 葉彥顯; Yeh, Yen-Hsien; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所 |