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1994AlAsSb/InGaAs/AlAsSb共振穿隧二極體穿隧電流之研究陳衛國; WEI-KUOCHEN; 交通大學電子物理研究所
1996AlAsSb單能障結構穿隧電流之負電阻效應研究陳衛國; WEI-KUOCHEN; 國立交通大學電子物理學系
2005III族氮化物奈米粒成長與光學特性研究柯文政; Wen-Cheng Ke; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
1996InGaAs/AlAsSb/InGaAs 單能障結構穿隧電流之研究鄭瑞煌; Cheng, Rui-huang; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
1999N型氮化鎵蕭基二極體之熱退火效應研究陳俊亮; Gin-Liang; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
1992OMVPE成長GaAsSb薄膜及GaAsSb/AlAsSb布拉格反射鏡之製作黃霈霖; HUANG, PEI-LIN; 陳衛國; CHEN, WEI-GUO; 電子物理系所
1998P型氮化鎵薄膜之熱處理效應研究劉嘉順; Chia-Shun Liu; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2000P型氮化鎵金/鉭/金歐姆接觸特性研究李國勝; Cuo-Shing Lee; 陳衛國; Prof. Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
1991TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究張峻榮; ZHANG, JUN-RONG; 陳衛國; CHEN, WEI-GUO; 電子物理系所
1991TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究張峻榮; Zhang, Jun-Rong; 陳衛國; Chen, Wei-Guo; 電子物理系所
1991一致性二維數值模擬砷化鎵場效電晶體高濃度雜質攙入效應林裕凱; LIN, YU-KAI; 陳衛國; 張國明; CHEN, WEI-GUO; ZHANG, GUO-MING; 電子物理系所
1996三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性---子計畫二：GaN類半導體材料及物理結構之光性研究(I)陳衛國; WEI-KUOCHEN; 國立交通大學電子物理學系
1998三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫二：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與物理特性之研究(II)陳衛國; WEI-KUOCHEN; 交通大學電子物理系
1999三五族氮化物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫II：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與特性研究(III)陳衛國; WEI-KUOCHEN; 交通大學電子物理系
2007三族氮化物微結構之成長與光電特性量測李寧; 陳衛國; 電子物理系所
2013三族氮化物薄膜與奈米點磊晶機制之研究傅少甫; Fu, Shao-Fu; 陳衛國; Chen, Wei-Kuo; 電子物理系所
1994以AlAsSb材料改善InP蕭基能障高之研究陳德威; Der-Way Chen; 陳衛國; Dr. Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2000以X光吸收細微結構研究熱退火對鎂摻雜氮化鎵化合物的影響曹衛立; Willy Chow; 陳文雄; 陳衛國; Wen-Hsiung Chen; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
1995以有機金屬氣相磊晶法成長銻化銦/砷化鎵薄膜李淑娟; Lee, Shu-Chuan; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2011低溫氮化鎵薄膜磊晶與物理特性之研究陳永翔; 陳衛國; 電子物理系所
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