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瀏覽 的方式： 作者 Bing-Yue Tsui

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2002二氧化鉿薄膜製備與鉿污染研究梁建翔; Jann-Shyang Liang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2006互補式金氧半電晶體之金屬閘極材料與技術研究黃誌鋒; Chih-Feng Huang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2006以二氧化鉿為基底之高介電常數閘極介電層中的電荷捕捉與逃逸之電特性分析吳偉豪; Wei-Hao Wu; 陳茂傑; 崔秉鉞; Mao-Chieh Chen; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2003以掃描探針測量矽半導體載子濃度蘇柏智; Po-Chih Su; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2007佈局參數對高壓金氧半場效電晶體電性影響之研究柳旭茹; Hsu-Ju Liu; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2004低介電常數材料應用於多層導體連線之電特性分析方國龍; Kuo-Lung Fang; 崔秉鉞; 陳茂傑; Bing-Yue Tsui; Mao-Chieh Chen; 電子研究所
2006功率元件之不等電位場板終端結構設計黃永助; Yung-Chu Huang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2007單壁奈米碳管網絡應用於薄膜電晶體與非揮發性記憶體之特性研究張孝瑜; Hsiao-Yu Chang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2003增進複晶矽薄膜電晶體特性之先進技術蕭逸璿; Yi-Hsuan Xiao; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2007奈米碳管與鈀金屬之接觸阻抗研究吳明錡; Ming-Qi Wu; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2004奈米碳管電晶體之遲滯效應研究薛聖銘; Sheng-ming Shiue; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2008奈米碳管電晶體之高頻特性研究張嘉文; Chia-Wen Chang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2002完全自動對準之高功率金氧半場效應電晶體顏天才; Gan Tian Choy; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2001末端結構設計對電致遷移生命期測試之影響陳敏晟; Min-Cheng Chen; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2001物理氣相沉積之二氧化鉿(HfO2)薄膜的特性研究張修維; Hsiu-Wei Chang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2006矽化鎳搭配高介電常數薄膜特性之研究林孟漢; Meng-Ham Lin; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2004蕭基位障對奈米碳管電晶體與薄膜電晶體之影響李宜澤; Yi-Che Lee; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2001超低介電常數材料熱傳導係數之研究楊鎮吉; Chen-Chi Yang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2007金屬-氧化鈦鉿-金屬電容於動態記憶體與射頻電路之應用徐曉萱; Hsiao-Hsuan Hsu; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2002金屬與奈米碳管之接觸性質研究翁堅立; Chien-Li Weng; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
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