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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Huang, Sheng-Yao
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顯示 1 到 11 筆資料,總共 11 筆
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標題
作者
2010
Bipolar Resistive Switching Characteristics of Transparent Indium Gallium Zinc Oxide Resistive Random Access Memory
Chen, Min-Chen
;
Chang, Ting-Chang
;
Huang, Sheng-Yao
;
Chen, Shih-Ching
;
Hu, Chih-Wei
;
Tsai, Chih-Tsung
;
Sze, Simon M.
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-一月-2013
Effect of Electrode Material on Resistive Switching Characteristics in TaON Nonvolatile Memory Devices
Chen, Min-Chen
;
Chang, Ting-Chang
;
Chiu, Yi-Chieh
;
Chen, Shih-Cheng
;
Huang, Sheng-Yao
;
Syu, Yong-En
;
Chang, Kuan-Chang
;
Huang, Hui-Chun
;
Tsai, Tsung-Ming
;
Gan, Der-Shin
;
Sze, Simon M.
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-2013
Improvement in the bias stability of amorphous InGaZnO TFTs using an Al2O3 passivation layer
Huang, Sheng-Yao
;
Chang, Ting-Chang
;
Chen, Min-Chen
;
Chen, Te-Chih
;
Jian, Fu-Yen
;
Chen, Yu-Chun
;
Huang, Hui-Chun
;
Gan, Der-Shin
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
25-十二月-2009
Improvement of the performance of ZnO TFTs by low-temperature supercritical fluid technology treatment
Chen, Min-Chen
;
Chang, Ting-Chang
;
Huang, Sheng-Yao
;
Chang, Kuan-Chang
;
Huang, Hui-Chun
;
Chen, Shih-Ching
;
Lu, Jin
;
Gan, Der-Shin
;
Ho, New-Jin
;
Young, Tai-Fa
;
Jhang, Geng-Wei
;
Tai, Ya-Hsiang
;
顯示科技研究所
;
Institute of Display
28-六月-2010
Influence of electrode material on the resistive memory switching property of indium gallium zinc oxide thin films
Chen, Min-Chen
;
Chang, Ting-Chang
;
Tsai, Chih-Tsung
;
Huang, Sheng-Yao
;
Chen, Shih-Ching
;
Hu, Chih-Wei
;
Sze, Simon M.
;
Tsai, Ming-Jinn
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2011
Influence of Oxygen Partial Pressure on Resistance Random Access Memory Characteristics of Indium Gallium Zinc Oxide
Chen, Min-Chen
;
Chang, Ting-Chang
;
Huang, Sheng-Yao
;
Chang, Guan-Chang
;
Chen, Shih-Cheng
;
Huang, Hui-Chun
;
Hu, Chih-Wei
;
Sze, Simon M.
;
Tsai, Tsung-Ming
;
Gan, Der-Shin
;
Yeh (Huang), Fon-Shan
;
Tsai, Ming-Jinn
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
11-七月-2011
Investigating the degradation behavior caused by charge trapping effect under DC and AC gate-bias stress for InGaZnO thin film transistor
Chen, Te-Chih
;
Chang, Ting-Chang
;
Hsieh, Tien-Yu
;
Lu, Wei-Siang
;
Jian, Fu-Yen
;
Tsai, Chih-Tsung
;
Huang, Sheng-Yao
;
Lin, Chia-Sheng
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
20-四月-2009
A low-temperature method for improving the performance of sputter-deposited ZnO thin-film transistors with supercritical fluid
Chen, Min-Chen
;
Chang, Ting-Chang
;
Huang, Sheng-Yao
;
Chang, Kuan-Chang
;
Li, Hung-Wei
;
Chen, Shih-Ching
;
Lu, Jin
;
Shi, Yi
;
光電工程學系
;
顯示科技研究所
;
Department of Photonics
;
Institute of Display
15-一月-2013
The resistive switching characteristics in TaON films for nonvolatile memory applications
Chen, Min-Chen
;
Chang, Ting-Chang
;
Chiu, Yi-Chieh
;
Chen, Shih-Cheng
;
Huang, Sheng-Yao
;
Chang, Kuan-Chang
;
Tsai, Tsung-Ming
;
Yang, Kai-Hsiang
;
Sze, Simon M.
;
Tsai, Ming-Jinn
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-2011
Resistive switching characteristics of Sm(2)O(3) thin films for nonvolatile memory applications
Huang, Sheng-Yao
;
Chang, Ting-Chang
;
Chen, Min-Chen
;
Chen, Shih-Ching
;
Lo, Hung-Ping
;
Huang, Hui-Chun
;
Gan, Der-Shin
;
Sze, Simon M.
;
Tsai, Ming-Jinn
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-2011
Resistive switching characteristics of Sm2O3 thin films for nonvolatile memory applications
Huang, Sheng-Yao
;
Chang, Ting-Chang
;
Chen, Min-Chen
;
Chen, Shih-Ching
;
Lo, Hung-Ping
;
Huang, Hui-Chun
;
Gan, Der-Shin
;
Sze, Simon M.
;
Tsai, Ming-Jinn
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics