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公開日期標題作者
1996NH3及N2O對介電質的影響李自強; Lee, Tzyh-Cheang; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2006二氧化鋯感測層在N型及P型pH-離子感測場效電晶體上之研究與比較林佳鴻; Chia-Hung Lin; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2006以NafionTM/高分子材料為結構的感測層應用在pH-ISFET離子選擇場效電晶體之研究陳敬岦; Jin-Li Chen; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2007以Polyimide高分子材料/NafionTM質子交換膜為結構作為pH-ISFET之微小化固態電極之研究何彥忠; Yen-Chung Ho; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2007以Polyimide高分子材料和NafionTM作為REFET感測層之研究林昇宇; Sheng-Yu Lin; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
1994以含鹵素元素氣體之子迴旋共振電漿進行複晶矽的蝕刻技術彭修平; S. P. Peng; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2002以快速升溫氧化技術成長 1.0 nm 高品質氮氧化矽閘極絕緣層及其特性研究陳巨峰; Chu-Feng Chen; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2003以感應耦合式電漿系統成長之超薄氮氧化矽薄膜的電特性與可靠度研究陳柏寧; Bo-Ning Chen; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2007以離子植入矽化物技術製作在矽化鎳與矽介面處低溫摻雜活化的相關研究林勝軍; Sheng-Chun Lin; 張國明; Kow-Ming Chang; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2007以離子植入矽化物技術製作在矽化鎳與矽介面間形成陡峭接面之熱穩定度相關研究林詩帆; Shi-Fan Lin; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2005以電漿表面處理之新穎ReFET製程周庭暐; Ting-Wei Chou; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2001低溫多晶矽薄膜電晶體之衰退機制分析以及新穎高性能元件結構之開發鐘元鴻; Yuan-Hung Chung; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
1999低溫複晶矽薄膜電晶體製程及特性之研究楊文誌; Wen-Ze Yang; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
1999使用氮化處理技術改進低壓化學氣相沉積鎢及低介電常數材料作為極大型積體電路金屬接觸擴散障礙層之特性研究鄧一中; I-Chung Deng; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2004使用表面微機電技術且CMOS相容的低溫製程下製作紅外線熱感應器黃士軒; Shi-Xuan Huang; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2008使用金屬閘極的鉿類介電層結構之研究戴振宇; Chen-Yu Tai; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2002使用電子迴旋共振電漿處理技術於表面蝕刻之特性研究及開發氮化鎵的閘極介電與鈍化絕緣薄膜之應用鄭兆禛; Chao-Chen Cheng; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2002具備新穎ONO堆疊式閘極介電層之高效能低溫複晶矽薄膜電晶體製作與特性研究洪彬舫; Bing-Fang Hung; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2007具備新穎自我對準升高式源/汲極結構之低溫複晶矽薄膜電晶體元件之開發與寬通道效應之研究林俊銘; Gin-Ming Lin; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2004具有加厚源/汲極與薄通道之新穎低溫複晶矽薄膜電晶體之製作與特性研究謝孟帆; Mon-Fan Hsieh; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
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