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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Lin, G
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顯示 1 到 14 筆資料,總共 14 筆
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標題
作者
27-十月-2005
1.3 mu m quantum dot vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection
Peng, PC
;
Chang, YH
;
Kuo, HC
;
Tsai, WK
;
Lin, G
;
Lin, CT
;
Yu, HC
;
Yang, HP
;
Hsiao, RS
;
Lin, KF
;
Chi, JY
;
Chi, S
;
Wang, SC
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
1996
980 nm InGaAs/AlGaAs quantum well lasers with extremely low beam divergence
Yen, ST
;
Lin, G
;
Liu, DC
;
Tsai, CM
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-2002
Comparison of 1300 nm quantum well lasers using different material systems
Lin, G
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-2005
Continuous-wave high-power (320 mW) single mode operation of electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot narrow-ridge-waveguide lasers
Wang, JS
;
Lin, G
;
Hsiao, RS
;
Yang, CS
;
Lai, CM
;
Liang, CY
;
Liu, HY
;
Chen, TT
;
Chen, YF
;
Chi, JY
;
Chen, JF
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-十二月-1996
Extremely small vertical far-field angle of InGaAs-AlGaAs quantum-well lasers with specially designed cladding structure
Lin, G
;
Yen, ST
;
Lee, CP
;
Liu, DC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-1996
Extremely small vertical far-field angle of InGaAs-AlGaAs quantum-well lasers with specially designed cladding structure
Lin, G
;
Yen, ST
;
Lee, CP
;
Liu, DC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-三月-1998
Low-resistance vertical conduction across epitaxially lifted-off n-GaAs film and Pd/Ge/Pd coated Si substrate
Fan, JC
;
Tsai, CM
;
Chen, KY
;
Wang, SY
;
Lin, G
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-二月-2001
Mode control of vertical-cavity surface-emitting lasers by germanium coating
Chiou, SW
;
Lin, G
;
Lee, CP
;
Yang, HP
;
Sung, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十一月-2004
Molecular-beam-epitaxy growth of high-quality InGaAsN/GaAs quantum well lasers emitting at 1.3 mu m
Wang, JS
;
Hsiao, RS
;
Lin, G
;
Lin, KF
;
Liu, HY
;
Lai, CM
;
Wei, L
;
Liang, CY
;
Chi, JY
;
Kovsh, AR
;
Maleev, NA
;
Livshits, DA
;
Chen, JF
;
Yu, HC
;
Ustinov, VM
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-三月-2006
Single-mode monolithic quantum-dot VCSEL in 1.3 mu m with sidemode suppression ratio over 30 dB
Chang, YH
;
Peng, PC
;
Tsai, WK
;
Lin, G
;
Lai, F
;
Hsiao, RS
;
Yang, HP
;
Yu, HC
;
Lin, KF
;
Chi, JY
;
Wang, SC
;
Kuo, HC
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
29-九月-2005
Singlemode InAs quantum dot photonic crystal VCSELs
Yang, HPD
;
Chang, YH
;
Lai, FI
;
Yu, HC
;
Hsu, YJ
;
Lin, G
;
Hsiao, RS
;
Kuo, HC
;
Wang, SC
;
Chi, JY
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
5-六月-1997
Stripe-geometry GaAs-InGaAs laser diode with back-side contact on silicon by epitaxial lift-off
Fan, JC
;
Chen, KY
;
Lin, G
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
5-六月-1997
Stripe-geometry GaAs-InGaAs laser diode with back-side contact on silicon by epitaxial lift-off
Fan, JC
;
Chen, KY
;
Lin, G
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-七月-2002
Two-dimensional field analysis of semiconductor lasers with small vertical beam divergence
Lin, G
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics