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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Subject: search.filters.subject.Quantum dot

Search Results

Now showing 1 - 10 of 16
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    Item type:Item,
    Dependence of operating conditions on lifetime of Phosphor Quantum dots-based white LEDs
    (2019-01-01)
    Singh, Preetpal
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    Tan, Cher Ming
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    Kuo, Hao-Chung
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    Wang, Kai
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    Yang, Hongchen
    Lifetime of packaged Phosphor- Quantum dot (QDs) based white LEDs is studied. Various stress parameters such as blue light luminance, temperature and moisture are considered and their effect on the performance of the Phosphor- QD based LED is investigated. The lumen degradation rate and degradation trend for LEDs is observed to be different under varying stress conditions. Lumen recovery process is also observed under light stress test.
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    Item type:Item,
    High-Uniformity Planar Mini-Chip-Scale Packaged LEDs with Quantum Dot Converter for White Light Source
    (2019-05-29)
    Chen, Lung-Chien
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    Tien, Ching-Ho
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    Chen, De-Fu
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    Ye, Zhi-Ting
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    Kuo, Hao-Chung
    This study proposes a novel direct-lit mini-chip-scale packaged light-emitting diode (mini-CSPLED) backlight unit (BLU) that used quantum dot (QD) film, diffusion plate, and two prism films to improve brightness uniformity. Three different luminous intensity units, 120 degrees mini-CSPLED, 150 degrees mini-CSPLED, and 180 degrees mini-CSPLED with different emission angle structures were fabricated using a CSP process. In terms of component characteristics, although the 180 degrees mini-CSPLED light output power is about loss 4% (at 10mA) compared with 150 degrees mini-CSPLED, it has a large emission angle that forms a planar light source that contributes to improving the BLU brightness uniformity and reduced quantity of LEDs at the same area. In terms of BLU analysis, the blue mini-CSPLEDs with different emission angles excite the different QD film thicknesses; the chromaticity coordinates conversion to the white light region. The BLU brightness increases as the QD film thickness increases from 60, 90, and 150m. This result can achieve a brightness uniformity of 86% in a 180 degrees mini-CSPLED BLU + 150-m-thick QD films as compared to the 120 degrees mini-CSPLED BLU and 150 degrees mini-CSPLED BLU.
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    Item type:Item,
    半導體微結構物理特性的研究(I)
    (1995)
    褚德三
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    CHUU DER SAN
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    國立交通大學電子物理學系
    在此計畫的第一部分,我們將研究在量子點 中的雜質與激子其能階隨著量子點的大小改變 而改變的量子尺度效應.外加電場、磁場與量 子點的幾何形狀等因素對能階的影響也將被考 慮進來.我們將選擇適當的波函數,利用變分法 來求出其能階.當量子點的大小、形狀改變,因 而分別趨近於嚴格的三維、二維、一維與零維 時,此波函數將分別等於這些極限情形下的嚴 格波函數解.本計畫的第二部分將探討D/sup -/中 心的問題.所謂的D/sup -/中心即是由淺授子捕捉 一個自由載子所形成的似氫陰離子,關於這個 題目最近也引起許多研究者的興趣.在實驗方 面,D/sup -/中心的存在已經由磁光實驗所確定. 而在理論方面,在零磁場或有外加磁場的情況 下D/sup-/中心這種束縛態的存在與個數問題早 已被提出,而長久以來一直受注目的有趣問題. 在一些特殊的情況下,束縛態的存在性定理已 嚴格的被證明過.我們將研究在低維度半導體 系統中的D/sup -/中心其束縛能隨著此系統尺度 大小的改變所相應的變化.外加磁場的效應也 將被考慮進來.這問題基本上是一個庫倫場中 加上適當形式的位能障的三體問題.我們擬採用複合球座標先將此三體問題簡化為二體問題 ,並加上適當的邊界值條件來探討此一問題.這 方法預期將可得到比一般的變分法所得到的結 果更正確.本計畫的第三部分將探討低維度量 子侷限系統的另一個有趣的問題,即考慮所謂 的 "禁制轉子(Hindered rotors)"系統.在此系統中, 徑向維度的運動或可不受限制,但在轉動維度 的運動卻受到位能的侷限而使其能量量子化. 這種禁制轉子問題,在研究晶體表面的吸附分 子或半導體表面的似氫雜質時有收光譜不同於 塊材中雜質或自由轉子的光譜形式.在計算表 面禁制轉動能階時,侷限位能的選擇形式關係 著計算結果的準確度.在以往計算此種禁制轉 動能階的文獻中,均假設位能障為無窮大.這種 假設雖然簡化了計算過程,卻也使得所得的結 果只能定性地符合實驗數據,卻無法求得數值 的一致.因此,在本計畫中,我們將提出較為實際 的三種位能型式:有限高位能障模型、拋物線 式位能障模型及正弦式位能障模型,並選擇適 當的表面及吸附分子來計算禁制轉子的能階, 進而與實驗數據比較,以確定正確的位能型式. 這個資訊並可用來進一步了解吸附分子與表面間的交互作用機制.此外,我們也將計算表面似 氫雜質在表面侷限位能作用下的能階.在這種 情況,電子的運動除了角度方向受到侷限外,在 徑方向也受到庫侖位能的牽引,因此能階的形 式將較為複雜.我們將把計算的結果與在其他 低維度量子侷 限系統內的似氫雜質以及三維似 氫雜質的能階做比較,進而了解在各種侷限系 統中的雜質能階變化的情形.最近由於高溫超 導體的發現激起了對強偶合電子系統理論探討 的興趣.這些高溫超導體都有一些共同點,如都 有二維的氧化銅平面,在超導相附近都有反鐵 磁相,而隨著電洞濃度的增加此反鐵磁相被破 壞而進入了超導相.所以一般認為磁性交互作 用是產生超導的主要原因.Anderson認為用強耦合 (Strong coupling)的單價帶哈伯模型(Single Band Hubbard Model)就足以描述氧化銅超導體的物理.他 並且強調在此模型下金屬態不應由Fermi液體而應用所謂的Luttinger液體理論來描述.在此圖像 下其元激發是由不帶電自旋1/2的費米子,稱為 Spinon與帶電荷/sup +/e的無自旋玻色子,稱為Holon 所組成.我們想把Slave boson的技巧用在二維的t-J 模型上,並加上氧化銅層間的弱耦合效應來實 現這種Spinon-Holon圖像.而此處的t-J模型正是由 強耦合單價帶哈伯模型所導出的有效模型.我 們想研究在少量的電洞濃度下由此方法得到的 反鐵磁態下的一些磁學性質如自旋-自旋相關 函數、動態與靜態的自旋磁化率與比熱隨著溫 度與電洞濃度的改變情況.其結果將與一般用 Magnons所導出的結果做比較.
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    Item type:Item,
    II-VI半導體量子點和微腔液滴之超快同調光譜研究
    (1996)
    謝文峰
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    HSIEH WEN-FENG
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    國立交通大學光電工程研究所
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    Item type:Item,
    三五族半導體量子結構的物理研究及元件應用
    (1996)
    李建平
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    LEE CHIEN-PING
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    國立交通大學電子工程學系
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    Item type:Item,
    有機金屬氣相磊晶法成長砷化銦鎵與砷化銦量子點特性研究
    (2001)
    李威儀
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    LEE WEI-I
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    國立交通大學電子物理學系
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    Item type:Item,
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    Item type:Item,
    三五族半導體量子點結構之物理與元件
    (1999)
    李建平
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    LEE CHIEN-PING
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    交通大學電子工程系
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    Item type:Item,
    寬能隙半導體材料及其結構之時域解析光譜之研究
    (2000)
    陳文雄
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    交通大學電子物理系
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    Item type:Item,
    Spectral response and device performance tuning of long-wavelength InAs QDIPs
    (2011-05-01)
    Ling, H. S.
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    Wang, S. Y.
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    Lee, C. P.
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    電子工程學系及電子研究所
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    Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
    Long-wavelength InAs QDIPs with different thicknesses of InGaAs cap layer in the confinement-enhanced dots-in-a-well (CE-DWELL) structure were investigated. The sample with 3 nm cap layer shows primarily single band detection at 7 mu m that stems from the transition between QD states, but the 5 nm and 7 nm samples reveal voltage-tunable dual band detection in the region of 6-11 mu m from transitions to the states in the dots as well as the states in the well. The wavefunction coupling of transition states is effectively modified by the change of cap-layer thickness and the bias polarity, which leads to the observed spectral change and demonstrates the flexibility of the CE-DWELL QDIPs. For higher peak quantum efficiency (QE), thin InGaAs cap layers are used to obtain focused absorption strength. With 3 nm cap layer in the CE-DWELL, a respectable QE of 7.23% is reached for 10-stack QDIPs with 7 mu m detection wavelength at 77K. and a high detectivity of 3.4 x 10(10) Jones is also obtained. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.