極紫外光(EUV)微影技術從光源建造、光罩、材料、製程到奈米元件可靠度研究(III)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	黃遠東	en_US
dc.contributor.author	HUANG YANG-TUNG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:46:09Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:46:09Z	-
dc.date.issued	2010	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC99-2120-M009-004	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/100667	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2147801&docId=345725	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	次世代微影技術	zh_TW
dc.subject	極紫外光微影技術(EUVL)	zh_TW
dc.subject	半導體製程	zh_TW
dc.subject	同步輻射光源	zh_TW
dc.subject	EUVL檢測技術	zh_TW
dc.subject	Next generation lithography (NGL)	en_US
dc.subject	Extreme UV lithography (EUVL)	en_US
dc.subject	Semiconductor	en_US
dc.subject	Synchrotron radiation	en_US
dc.subject	EUV metrology technology	en_US
dc.title	極紫外光(EUV)微影技術從光源建造、光罩、材料、製程到奈米元件可靠度研究(III)	zh_TW
dc.title	Investigations on Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL) from Beamline Construction, Masks, Materials, Processes, to Reliability of Nano Devices (III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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