半導體量子點之成長與物性分析

标题:	半导体量子点之成长与物性分析 Growth and Physical Properties of Semiconductor Quantum Dots
作者:	周武清 CHOU WU-CHING 国立交通大学电子物理学系(所)
关键字:	量子点;量子环;高压;时析光激萤光谱;奈米侦测器;quantum dots;quantum rings;high pressure;time-resolved photoluminescence;nano-sensor
公开日期:	2009
摘要:	本计画将以三年的时间，研究半导体量子点之成长与物性分析，共分为四个研究子题，探讨（1）稀磁性半导体奈米结构随压力变化之光电特性；（2）二六族稀磁性量子环的制作与磁光特性分析；（3）氮化铟薄膜与量子点制作与光电特性分析；（4）单量子点奈米侦侧器研究。（1）利用低温高压的技术，搭配拉曼光谱、光激萤光频谱、时间解析光谱和磁光频谱的研究来探讨稀磁性半导体奈米结构随压力变化之光电特性。（2）利用分子束磊晶技术成长稳定的以及不稳定的硒化(锰)镉/硒化锌量子点结构，研究部份覆盖层造成量子点结构变化之动力学机制。并进一步制作硒化(锰)镉/硒化锌量子环结构。在外加磁场下进行各种光谱实验，研究磁场变化下稀磁性量子环光性的改变。（3）藉由周期性流量调制磊晶法制作低载子浓度的氮化铟薄膜，并进一步探究氮化铟奈米粒子的成长动力学。（4）利用有机和无机的材料作量子点的表面改质来改善量子点的萤光性质，进而减少萤光闪烁的现像。藉由观察量子点萤光强度及时间常数随着萤光共振能量转移的交亘作用的变化，实际评估是否单一量子点和金奈米粒子或不同波长的量子点对可以当理想的奈米级侦侧器？
官方说明文件#:	NSC96-2112-M009-026-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/100830 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1759013&docId=300248
显示于类别：	Research Plans

APA	周., & CHOU W. (2009). 半导体量子点之成长与物性分析. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1759013&docId=300248.
Bibtex	@article{2009, title={半导体量子点之成长与物性分析}, author={周武清 and CHOU WU-CHING}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1759013&docId=300248}, year={2009}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/100830?locale=zh_CN}, }