整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(II)

標題:	整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(II) Development of the III-Nitride High Power High Frequency HEMT Structures Grown by Integration of MBE and MOCVD Technologies(II)
作者:	張俊彥 CHANG CHUN-YEN 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2009
官方說明文件#:	NSC98-2221-E009-003
URI:	http://hdl.handle.net/11536/101553 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1904979&docId=315708
顯示於類別：	研究計畫