標題: 磊晶高品質鍺與砷化銦鎵異質通道於矽基板之高速金氧半場效電晶體
High-Speed MOSFET with High-Quality Ge and Ingaas Epitaxial Hetero-Channels on Si Substrates
作者: 簡昭欣
Chien Chao-Hsin
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期: 2009
官方說明文件#: NSC98-2221-E009-173-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/101752
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1902985&docId=315300
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