標題: | 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件 |
作者: | 王朝勳 郭浩中 |
公開日期: | 16-Sep-2013 |
摘要: | 一種具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件,包含:基板;n-型半導體層,設置在基板上,n-型半導體層具有第一部份及第二部份;具有漸變含量之電洞穿隧層,設置在n-型半導體層之第一部份上;電子阻擋層,設置在具有漸變含量之電洞穿隧層上;p-型半導體層,設置在電子阻擋層上;第一電極,設置在p-型半導體層上;以及第二電極,設置在n-型半導體層之第二部份上且與n-型導體層之第一部份上之結構電性分離,且第二電極與第一電極之電性相反,藉由具有漸變含量之電洞穿隧層做為多重量子井層,在寬能隙發光元件中,提高電洞傳遞效率,進一步的提高發光效率。 |
官方說明文件#: | H01L033/04 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/103205 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201338197 |
Appears in Collections: | Patents |
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