以六電晶體為基礎架構之靜態隨機記憶體陣列

Abstract

本發明係提供一種以六電晶體架構組成之靜態隨機存取記憶體,其包含第一反相單元、第二反相單元第一傳送閘電晶體以及第二傳送閘電晶體。第一反相單元包含一第一升壓電晶體與一第一降壓電晶體。第二反相單元包含第二升壓電晶體與第二降壓電晶體。第二升壓電晶體之閘極係耦接第二降壓電晶體之閘極,第二升壓電晶體之汲極係耦接第二降壓電晶體之汲極。靜態隨機存取記憶體僅需藉由控制第一位元線、第二位元線、第一字元線、接地以及電壓源之輸入電壓,而不需改變製程中之物理參數,即可量測轉態電壓、讀取干擾電壓或寫入邊界。