形成一Ｔ型閘極結構的方法

Abstract

形成T型閘極結構的方法。首先，提供一半導體基材，並於半導體基材上形成一具有至少兩種顯影速率之光阻體結構。接著，根據一遮罩，圖案化光阻體結構，其中係對該光阻體結構進行斜向曝光，並根據該至少兩種顯影速率顯影曝光後之光阻體結構，來形成一光阻槽道並暴露出部分半導體基材，其中所形成之光阻槽道具有一相較於底部還要寬的上方部分。接著，將閘極材質回填於光阻槽道，並移除圖案化光阻體結構，形成該T型閘極結構。