| 標題: | 提高光偵測度之光偵測元件及其形成方法 |
| 作者: | 陳方中 林書丞 |
| 公開日期: | 16-Jun-2013 |
| 摘要: | 一種光偵測元件之形成方法,包括:提供基板;在基板上形成透明導電薄膜;在透明導電薄膜上形成導電高分子層;在導電高分子層上形成有機主動層;在有機主動層上形成電荷阻擋層;以及在電荷阻擋層上形成陰極金屬。 |
| 官方說明文件#: | H01L031/0256 H01L031/18 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103258 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201324794 |
| Appears in Collections: | Patents |
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