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dc.contributor.author張翼en_US
dc.contributor.author沙湖 卡堤卡 彰德拉en_US
dc.contributor.author林孟谷en_US
dc.contributor.author呂貽堯en_US
dc.contributor.author王聖評en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:12:18Z-
dc.date.available2014-12-16T06:12:18Z-
dc.date.issued2011-07-01en_US
dc.identifier.govdocH01L031/18zh_TW
dc.identifier.govdocH01L031/0236zh_TW
dc.identifier.govdocH01L031/042zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103574-
dc.description.abstract本發明係有關於一種抗反射表面之製法,其包括:形成金屬膜於鈍化層上;熱處理該金屬膜,俾使金屬膜自組裝成金屬奈米顆粒;利用金屬奈米顆粒作為遮罩,移除鈍化層之部份區域,俾而形成亞波長抗反射結構,其中亞波長抗反射結構之截面積係沿著鈍化層之厚度方向增大;以及移除金屬奈米顆粒。此外,本發明更提供所製得之亞波長抗反射結構及其反射比。由於本發明所提供之亞波長抗反射結構具有較佳之抗反射效果,故可提高光電轉換裝置之光電轉換效率。此外,由於亞波長抗反射結構係製作於鈍化層上,故可降低半導體層因反應性離子蝕刻而受損之可能,進而改善光電轉換裝置之光電轉換效率。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title抗反射層、抗反射表面之製法、及其應用之光電轉換裝置zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201123508zh_TW
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  1. 201123508.pdf

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