完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
| dc.contributor.author | 沙湖 卡堤卡 彰德拉 | en_US |
| dc.contributor.author | 林孟谷 | en_US |
| dc.contributor.author | 呂貽堯 | en_US |
| dc.contributor.author | 王聖評 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:18Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:18Z | - |
| dc.date.issued | 2011-07-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/18 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/0236 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/042 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103574 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係有關於一種抗反射表面之製法,其包括:形成金屬膜於鈍化層上;熱處理該金屬膜,俾使金屬膜自組裝成金屬奈米顆粒;利用金屬奈米顆粒作為遮罩,移除鈍化層之部份區域,俾而形成亞波長抗反射結構,其中亞波長抗反射結構之截面積係沿著鈍化層之厚度方向增大;以及移除金屬奈米顆粒。此外,本發明更提供所製得之亞波長抗反射結構及其反射比。由於本發明所提供之亞波長抗反射結構具有較佳之抗反射效果,故可提高光電轉換裝置之光電轉換效率。此外,由於亞波長抗反射結構係製作於鈍化層上,故可降低半導體層因反應性離子蝕刻而受損之可能,進而改善光電轉換裝置之光電轉換效率。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 抗反射層、抗反射表面之製法、及其應用之光電轉換裝置 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201123508 | zh_TW |
| 顯示於類別: | 專利資料 | |

