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dc.contributor.author張家華en_US
dc.contributor.author余沛慈en_US
dc.contributor.author徐敏翔en_US
dc.contributor.author韋光華en_US
dc.contributor.author蘇明鑫en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:12:33Z-
dc.date.available2014-12-16T06:12:33Z-
dc.date.issued2010-12-16en_US
dc.identifier.govdocH01L031/0224zh_TW
dc.identifier.govdocH01L031/18zh_TW
dc.identifier.govdocC23C014/56zh_TW
dc.identifier.govdocH01L051/42zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103667-
dc.description.abstract本發明係有關於一種氧化銦錫(ITO)立體電極及其製備方法。本發明之氧化銦錫立體電極包括一導電層以及複數個氧化銦錫導電奈米柱,係形成於導電層之表面,且其氧化銦錫奈米柱之長度可調變範圍為10nm至1500nm,應用於有機太陽能電池的最佳長度可調變範圍為50nm至200nm。本發明之具有立體結構之氧化銦錫電極應用於有機光電元件(如,有機太陽能電池、有機發光二極體等)時,可增加主動層與電極之接觸面積,有效提升電流注入或導出之效率。本發明亦有關於製備此氧化銦錫立體電極之蒸鍍機、包含此氧化銦錫立體電極之有機太陽能電池、以及製備此有機太陽能電池之方法zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title氧化銦錫立體電極、其製備方法、其製備裝置、及其太陽能電池的製作方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201044601zh_TW
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  1. 201044601.pdf

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