利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張志榜	en_US
dc.contributor.author	吳耀銓	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:41Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:41Z	-
dc.date.issued	2010-08-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/265	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/20	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103713	-
dc.description.abstract	本發明提供一種利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法，其係提供一絕緣基板並於基板上形成一非晶矽層，隨後於非晶矽層上形成一圖案化阻擋層，以定義出至少一顯露出部分非晶矽層的開口，於開口內沉積一催化元素層，對催化元素層進行離子佈植，以將催化元素層之金屬離子驅入非晶矽層內，最後移除催化元素層與圖案化阻擋層並進行退火製程，以使非晶矽層形成無催化元素殘留與污染的較佳結晶。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201029057	zh_TW
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